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纳米线环栅晶体管为7nm以下晶体管的发展提供了很好解决方案，电力打造电力的网绝缘材料和金属栅极均匀的包覆在半导体纳米线的四周形成栅极结构，电力打造电力的网从而使得栅极对沟道的静电控制能力显著增加。这项研究发表在了《自然-电子学》杂志上，新型系统系密歇根理工大学(MichiganTechnologicalUniversity)、新型系统系华盛顿大学圣路易斯分校(WashingtonUniversityinSt.Louis)和德克萨斯大学达拉斯分校(UniversityofTexasatDallas)合作完成了这项研究。

络安【文献地址】Jing-KaiQin,Pai-YingLiao,PeideYe.etal.RamanResponseandTransportPropertiesofone-dimensionalvanderWaalsTelluriumNanowiresEncapsulatedinNanotubes.NatureElectronics.DOI:10.1038/s41928-020-0365-4.PubDate:2020-02-10。普渡大学(PurdueUniversity)的PeterYe研究团队发现一种具有很高载流子迁移率(~1000cm2/Vs)稀土元素纳米材料碲(Te)，全防将这种材料封装在氮化硼制成的纳米管中，全防可以制造直径仅为2nm的场效应晶体管器件。图1.一维Te原子线的晶格表征及晶体管性能a,封装在0.8nm碳纳米管中单原子Te原子线的HAADF-STEM表征;b-e,单链、护体双链、护体三链和19链Te原子线的HRTEM表征;f,Te原子线晶体管示意图;g-h,器件的开关比、开态电流和载流子迁移率与原子线内径的对应关系氮化硼封装为尺寸更小的纳米线晶体管器件提供了完美的解决方案，而且这种工艺同样适用于其他具有一维形态半导体纳米材料的封装，为后摩尔时代新型逻辑器件尤其是纳米线环栅晶体管的开发提供了新的思路。

通过使用碳纳米管作为封装模板，国网甘肃通过控制碳纳米管的内径，国网甘肃可以成功得到了具有不同链数的一维Te原子线，碳纳米管封装对一维Te原子线晶体实现了很好的保护，使其在空气环境中具有很好的稳定性。该技术的独特之处在在于半导体纳米线结构的形成，电力打造电力的网业界常用的器件中纳米线沟道是由硅材料制成的，电力打造电力的网使用自上而下的刻蚀工艺制备，其最小尺寸在10到20纳米之间，因此迫切的需要开发新型材料和结构进一步突破晶体管的尺寸限制。

7nm之后，新型系统系构成电路的最基本单元-场效应晶体管的特征尺寸很难进一步减小，新型系统系沟道中的载流子浓度不能受到栅极电压的有效调控，导致器件的开关性能显著下降。

采用这种一维Te原子线制备了内径只有2nm的纳米线场效应晶体管器件，络安该器件具有优异的电学传输性能，络安并且通过表面原子层沉积Al2O3层，其载流子传输类型能够得到有效的调控。小结：全防不得不说这些厂商们真的脑洞大开，一下让原本传统本分的电视产品拥有很多想象空间。

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